国产曝光机技术新飞跃:28纳米征程再进一步
来源:ictimes 发布时间:1 天前 分享至微信

在国内半导体产业的持续努力下,国产曝光机技术迎来重大突破。尽管原定于2023年交付的浸润式SSA/800-10W曝光机尚未官宣,但国内自主研发的氟化氩(ArF)曝光机已在核心技术上取得显著进步,分辨率达65纳米,套刻精度达8纳米,标志着国产曝光机正向高端市场迈进。


面对美国、日本、荷兰等国的技术封锁,国内企业如中微半导体、上海微电子等携手科研机构,攻坚克难,不断缩小与国际巨头的差距。目前,国内曝光机技术已具备推进至28纳米制程的潜力,但还需在多重曝光、覆盖精度等方面进一步提升。


中芯国际等国内半导体企业,在积极寻求国际合作的同时,也加大自主研发力度,力求在关键技术上实现突破。国产曝光机技术的不断成熟,为这些企业提供了强有力的支持,推动了国内半导体产业的自主可控进程。


展望未来,国产曝光机技术将持续创新,助力国内半导体企业向更高制程迈进。这一技术的飞跃,不仅体现了国内半导体产业的实力与决心,更为全球半导体产业的竞争格局注入了新的活力。

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