三星电子在开发其下一代智能手机Galaxy S25系列时遇到了挑战，主要是因为其1b纳米（12纳米级）LPDDR RAM的良率问题。这款关键组件的良率仅为50%，远低于通常所需的80%以确保稳定且经济的批量生产。三星MX部门对DS部门提供的RAM供应进度表示担忧，因为这一问题可能导致Galaxy S25系列的开发受阻。

三星于2023年5月开始量产1b纳米工艺的16GB DDR5 RAM，并在同年9月推出了32GB DDR5版本。然而，尽管DS部门原计划在8月之前向MX部门提供12GB和16GB的1b纳米LPDDR RAM样品，以支持Galaxy S25系列的开发，但这一计划未能如期完成。

消息人士透露，由于良率低于预期，三星内部供应链出现延迟，MX部门对此表示异议，并正在重新评估Galaxy S25系列智能手机的DRAM采购方案。这一挑战不仅影响了三星的内部生产计划，也可能对Galaxy S25系列的发布时间表和性能产生影响。

良率问题凸显了先进半导体制造中面临的挑战，尤其是在向更小工艺节点过渡时。三星作为全球领先的半导体制造商，其解决这一问题的能力将对公司在竞争激烈的智能手机市场中的地位产生重要影响。目前，三星正在积极寻求提高1b纳米LPDDR RAM良率的解决方案，以确保Galaxy S25系列能够按时推出并满足市场期待。