飞锃半导体获香港创新科技署鼎力资助
来源:ictimes 发布时间:2024-08-30 分享至微信

8月28日,飞锃半导体(Alpha Power Solutions)宣布其香港子公司成功获得香港创新科技署创新及科技基金的重要资助,这标志着飞锃半导体在碳化硅(SiC)功率半导体领域的研发实力得到了权威认可,并将进一步推动粤港澳大湾区集成电路产业的蓬勃发展。


作为第三代半导体领域的佼佼者,飞锃半导体长期深耕碳化硅功率半导体器件的研发、生产与销售,致力于为新能源汽车、直流充电桩、光伏储能及智能家居等前沿领域提供定制化的高性能解决方案。此次获得资助,将专项用于SiC沟槽MOSFET晶体管制造技术的深度开发与产品研发,旨在打破传统技术瓶颈,实现产品成本的进一步优化与性能的飞跃提升。


值得注意的是,香港近年来已将第三代半导体技术视为重点发展的科技领域,并成立了香港微电子研发院作为核心支撑平台。这一战略布局不仅彰显了特区政府对于半导体产业创新的重视,更为飞锃半导体等本土企业提供了前所未有的发展机遇。在特区政府的大力支持与推动下,飞锃半导体已成功开发出与国际顶尖IDM供应商相媲美的碳化硅二极管和MOSFET产品,确立了其在碳化硅器件制造领域的领先地位。


面对平面碳化硅晶体管成本高企、微型化难度加大的行业挑战,飞锃半导体展现出了非凡的创新力与执行力。公司正聚焦于开发一种革命性的碳化硅MOSFET制造技术,力求以更低的成本、更高的效率生产出世界级品质的产品。同时,飞锃半导体还将在平面碳化硅MOSFET技术的基础上,进一步探索沟槽式碳化硅MOSFET技术,通过消除JFET电阻等手段,有效降低电阻值和器件尺寸,为产品的微型化、集成化奠定坚实基础。

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