艾为电子引领射频开关技术革新:赋能多场景应用
来源:ictimes 发布时间:2024-08-20 分享至微信

在当今无线通信技术的飞速发展中,设备智能化浪潮对射频开关的性能提出了前所未有的挑战。艾为电子敏锐洞察市场趋势,匠心推出新一代SPDT射频开关——AW13012TDNR,以其卓越的低插损、高隔离及闪电般的切换速度,为Wi-Fi、UWB及NR Redcap等射频前端应用树立了新标杆。


AW13012TDNR,这款集尖端技术于一身的射频开关,其频率覆盖0.1至8.5GHz的广阔频段,无论是日常通信还是高速数据传输,都能游刃有余。其输入电压范围广泛,从1.65V到3.3V,展现了出色的兼容性与灵活性。尤为值得一提的是,其在5.8GHz下的典型插入损耗仅为0.45dB,这一超低损耗特性,在Wi-Fi应用中能显著降低发射通路的功率消耗,延长设备电池寿命;而在LTE/NR环境下,则能减少接收链路的噪声干扰,提升信号接收的灵敏度与稳定性。


AW13012TDNR的卓越性能,使其在多个应用场景中大放异彩。在Wi-Fi领域,其200ns的闪电切换速度及高达32dBm的耐受功率,完美适配Tx/Rx快速切换的需求;在UWB应用中,其宽频段覆盖及快速切换特性,为基于ToF/TDoA的定位技术提供了强有力的支持;对于NR Redcap这类对发射功率要求不高的场景,AW13012TDNR同样能胜任发射通路的任务;此外,在LTE/NR的Rx diversity及蓝牙AOA定位系统中,其低插损与高速切换的优势,更是为系统性能的提升贡献了不可小觑的力量。


[ 新闻来源:ictimes,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论

暂无评论哦,快来评论一下吧!