东海碳素（Tokai Carbon），一家专业的碳和石墨产品制造商，于8月1日宣布将投资54亿日元（约合人民币2.7亿元）在日本神奈川县茅崎市建设一条多晶SiC晶圆专线。预计该产线将于2024年12月完工。

东海碳素所开发的多晶SiC晶圆，特别是"层压SiC晶圆"，是通过将单晶SiC晶圆与多晶SiC晶圆键合，再加热剥离形成单晶SiC薄膜的技术。这种技术使得单晶SiC层可以重复使用10次以上，大幅提升了生产效率。

与传统的单晶SiC相比，多晶SiC晶圆具有更低的电阻值，大约为单晶SiC的五分之一到四分之一，这有助于进一步降低功率损耗。使用层压SiC晶圆不仅可以提升SiC功率半导体的性能，还能使系统更小型化、轻便，并提升电动汽车（EV）的续航里程。

今年5月，东海碳素与法国半导体材料制造商Soitec达成合作，将在中长期内为Soitec供应6英寸和8英寸的多晶SiC晶圆。此外，东海碳素还计划在韩国京畿道安城市的现有工厂生产多晶SiC晶圆。

东海碳素的这一新投资项目不仅将增强其在全球SiC市场的竞争力，也将推动SiC技术在功率半导体领域的应用发展，为电动汽车等行业提供更高效、更小型化的产品解决方案。