万年晶GaN项目投产,引领江西半导体产业新篇章
来源:ictimes 发布时间:2024-07-25 分享至微信
近日,江西省万年县高新区传来喜讯,万年晶第三代半导体项目正式投产,标志着江西省在氮化镓(GaN)车载功率器件领域迈出了坚实的一步。该项目总投资高达25亿元,占地面积136亩,是江西省首个实现量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂,预计年产量可达20万片,为地方经济发展注入了强劲动力。
万年晶半导体作为江西省内首家专注于蓝宝石基功率器件研发、生产和销售的公司,其主营的第三代半导体高电子迁移率晶体管芯片在数据中心、储能、汽车电子等领域具有广泛的应用前景。此次项目的成功投产,不仅填补了江西省在氮化镓功率器件领域的空白,更为推动当地半导体产业的快速发展提供了有力支撑。
展望未来,万年晶半导体将继续秉持创新发展的理念,不断提升产品性能和质量,为国内外客户提供更加优质的半导体解决方案,助力中国半导体产业实现高质量发展。同时,该项目的投产也将吸引更多上下游企业落户江西,形成更加完善的半导体产业链生态,为江西省乃至全国的半导体产业发展贡献力量。
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