宏微科技自研半导体技术突破,IGBT市场回暖可期
来源:ictimes 发布时间:2024-07-22 分享至微信

宏微科技近期宣布,其自研第七代IGBT芯片已实现稳定量产,性能与进口七代芯片相媲美,标志着国产IGBT技术取得重要进展。同时,公司自研的化合物半导体也已进入客户认证阶段,技术领先国内同行,为公司未来发展奠定坚实基础。


面对光伏逆变器与IGBT市场的价格波动,宏微科技表示,受宏观经济影响,行业短期遇冷,但公司订单量正逐步回升,预示着市场回暖趋势。特别是随着全球逆变器出口持续增长及国内经济的逐步复苏,IGBT市场价格有望回归合理区间。


在数据中心领域,宏微科技亦展现出强劲的增长潜力。公司现有产品已广泛应用于数据中心电源市场,并计划进一步拓展至大型GPU高性能电源管理等新兴领域,以满足高性能计算对电力需求的快速增长,助力新能源发电和高质量产业发展。


综上所述,宏微科技凭借自研技术的持续突破和市场的积极反馈,正稳步迈向更加广阔的发展前景。


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