Vishay新推1200V SiC二极管,能效与可靠性双重飞跃
来源:ictimes 发布时间:2024-07-22 分享至微信
Vishay Intertechnology宣布了其创新的第三代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列,共16款新品。这些二极管采用先进的混合PIN肖特基(MPS)结构设计,融合了高浪涌电流保护、低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流等特性,为开关电源设计树立了新标杆。
新品系列覆盖5A至40A的广泛电流范围,提供多种封装选项,包括TO-220AC 2L、TO-247AD 2L/3L及D2PAK 2L,满足多样化的应用需求。MPS结构结合激光退火技术,使电容电荷大幅降低至28nC,正向压降减至1.35V,反向漏电流低至2.5μA,有效减少导通损失,提升系统能效。
这些二极管专为高要求应用场景设计,如光伏逆变器、储能系统、工业驱动器及数据中心等,能在高达+175°C的工作温度下稳定运行,并提供高达260A的浪涌电流保护。D2PAK 2L封装版本还采用高CTI材料,确保电压升高时的卓越绝缘性能。
新品不仅性能卓越,还具备高可靠性,符合RoHS标准,无卤素,并通过了2000小时高温反偏及2000次热循环测试。
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