国产氮化镓芯片领军企业英诺赛科（苏州）科技股份有限公司近日向港交所递交招股书，拟主板上市，中金公司和招银国际担任联席保荐人。尽管英诺赛科在氮化镓功率半导体领域占据全球市场领先地位，但公司仍深陷亏损困境，并面临国际半导体巨头的专利诉讼。

英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，市场份额高达33.7%。然而，自2021年至2023年，公司累计亏损超过67亿元，毛利率持续为负。尽管如此，英诺赛科凭借其技术实力和市场地位，吸引了众多知名投资机构，包括曾毓群个人投资的2亿元资金。

然而，英诺赛科的上市之路并非一帆风顺。公司近期遭到国际半导体巨头的专利侵权起诉，为其未来发展蒙上了一层阴影。尽管如此，英诺赛科仍表示将积极应对挑战，继续推进技术创新和产能扩张，以满足日益增长的市场需求。

此次IPO上市，英诺赛科计划借助资本市场力量，进一步巩固其在氮化镓功率半导体领域的领先地位。同时，公司也将加强知识产权保护，以应对潜在的专利诉讼风险。