据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定于7月26日向美国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品侵犯了其专利，违反了美国337条款。
图源：中国贸易救济信息网
此次受指控公司包括：中国江苏英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（Innoscience (Suzhou) Technology Company, Ltd. ）、中国江苏英诺赛科（苏州）半导体有限公司（Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd.）、中国广东英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、美国英诺赛科（Innoscience America, Inc. of Santa Clara,CA）。早在今年3月，英飞凌就通过其官网发布公告称，为防止自己拥有的与氮化镓技术相关的美国专利受到侵犯，已对英诺赛科提起诉讼，且正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓功率半导体器件的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的氮化镓器件可靠性和性能的创新。2023年5月，美国另一家氮化镓氮化镓（GaN）技术公司宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation，以下简称EPC）也曾向加州地区法院以及美国国际贸易委员会提起诉讼，称英诺赛科侵犯了其四项专利，专利号分别为8,350,294、8,404,508、9,748,347和10,312,335。
图源：英诺赛科
2024年7月，美国国际贸易委员会公布一份涉及宜普公司（EPC）包括氮化镓技术在内的两项关键专利的裁定。判定英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司英诺赛科美国公司侵犯了宜普公司（EPC）其中一项专利（294专利），但英诺赛科在508专利的权利请求（主张的唯一权利请求）中不存在侵权行为。对于ITC在 294专利的初步裁定，英诺赛科将在7月19日前向ITC复审委员会提出上诉。美国国际贸易委员会的最终裁定预计在美国当地时间2024年11月5日公布。
图源：英诺赛科
据官方消息，英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线。在市场份额方面，根据弗若斯特沙利文的资料，英诺赛科是氮化镓功率半导体产品的全球领导者，2023年的收入为人民币5.93亿元，占氮化镓功率半导体行业市场份额的33.7%。在专利积累方面，根据招股书数据，截至2023年12月31日，英诺赛科在全球有约700项专利及专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。值得关注的是，上个月，英诺赛科正式向香港联交所提交A1招股书，计划在港股上市。
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