世界第一!云镓发布650V/150A增强型GaN芯片,向汽车电子进发
来源:钟先生 发布时间:2024-07-12 分享至微信


随着GaN器件在数据中心及光伏逆变等领域的渗透,其在工业级的应用已日趋成熟。而在全球能源变革的浪潮中,新能源汽车作为一种环保高效的出行方式,逐渐成为市场主流,其核心技术的提升也成为关键课题。在这一背景下,高可靠性的GaN大电流芯片的应用逐渐受到瞩目,成为推动新能源汽车技术革新的重要力量。



2. GaN的技术优势—提升电动汽车的性能与效率

GaN芯片在新能源汽车中的应用领域前景巨大,包括电机驱动、车载充电器(OBC)、DC/DC转换器、激光雷达以及快速充电桩等,其诸多变革性优势有:

a) 增加汽车的续航里程

GaN芯片的高效率转换能力可显著减少能量损耗,使电动汽车的电池能量能够更有效地转化为驱动电力,延长续航里程。

b)减轻系统重量与体积

得益于GaN材料的高能量密度,电力系统可以在保持或提高性能的同时,大幅缩小尺寸和重量,从而提升车辆的整体性能和效率。

c)提高充电速度

GaN芯片的高频特性使其在快速充电技术中表现优异,可以实现更高的充电效率和更短的充电时间,极大地提升用户体验。

d) 降低整车成本

GaN器件的市场推广将有利于其成本的继续下降,得益于GaN制造成本的优势,GaN器件的使用将大大降低整车的系统成本。



早在2021年,上海电驱动研制的新能源汽车GaN功率组件及电机控制器在第四届进博会上亮相(上图左)。而今年的北京车展,上海电驱动又亮相了一款GaN的功率模块产品(上图右)。


受限于开关损耗的问题,传统的IGBT电机驱动开关频率多在10kHz以下,其逆变的频率较低,电机的转速受限,同时电流的畸变更大。而GaN器件因为开关损耗小的优点,在电机驱动应用中,器件的开关频率可以得到进一步提升,电机转速可以做到更高,电流畸变更小,系统优势非常明显


3. 650V/150A—世界上最小内阻的增强型GaN器件

早在新年伊始,云镓半导体就发布工业级GaN功率器件,封装形态覆盖DFN88、TOLL和TOLT等,大举入局数据中心、再生能源、OBC等应用场景。是国内唯一可提供工业级 E-mode GaN 器件的设计公司,其 TOLT顶面散热封装亦属国内首个。




对于如电机驱动这类汽车应用,如何获取更小内阻的氮化镓芯片 (<10mΩ)?


众所周知,在半导体工艺制程中,芯片内阻越小,芯片面积越大,单芯片上缺点数越高,芯片的良率也会越差。对于10mΩ级别内阻的GaN芯片,制造难度极大。




近日,云镓半导体自主研发了650V/150A的大电流芯片(如下3D图所示),导通内阻典型值10mΩ,实现E-mode GaN器件的电流等级世界第一!基于一流的工艺制造平台,以及云镓先进的自研XXX工艺,实现了大于80%的芯片良率。此工艺研发的方案非常适合新能源汽车领域的模块需求,焊盘引脚设计更加灵活多变,芯片成本大幅降低,可以按照不同客户的方案,实现定制化需求。此外更小的寄生,更小的走线设计,可以大大提升系统性能。



同时,云镓半导体还积极与合作伙伴合作,进行工业模组以及电驱模块的样机开发,积极推进国产GaN上车!



相关规格书可访问云镓半导体官网www.cloudsemi.net获取,更多资讯或订购需求,请联系我们:info@cloudsemi.net,gary@yunjiasemi.com。



关于云镓


云镓半导体科技有限公司 (CloudSemi) 成立于2021年11月,是一家专业从事GaN功率器件及解决方案的设计公司,现有上海、杭州、深圳三个研发及办事机构。公司核心团队具有多年GaN器件量产经验,具备工艺开发、器件定制、IC设计、封装测试、可靠性评估和系统应用等全建制能力,可以提供定制化设计和全套解决方案服务,帮助客户实现系统竞争力。目前,公司已推出多款氮化镓功率器件及IC类产品,应用场景可覆盖消费电子、数据中心、再生能源以及汽车电子等领域。



公司现有三个研发及办事机构

★ 研发中心:上海市浦东新区锦绣东路2777弄3号楼602室

★ RE实验室:杭州市西湖区留下街道西溪路698号15号楼211室

★ 应用中心:深圳市南山区桃源街道留仙大道4093号南风楼B座512室


更多信息请访问云镓官网:www.cloudsemi.net

或联系我们:info@cloudsemi.net.

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