安世半导体（Nexperia）宣布了一项重大投资计划，将斥资2亿美元在德国汉堡市建设下一代宽禁带半导体（WBG）生产基地。此次投资聚焦于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术，旨在满足电气化和数字化领域对高效功率半导体的长期需求。
安世半导体计划在汉堡工厂增设SiC和GaN生产线，并与现有硅(Si)二极管和晶体管晶圆厂产能扩容同步进行。这一举措不仅标志着安世半导体在节能半导体领域的领先地位进一步巩固，也预示着汉堡工厂将成为全球宽禁带半导体生产的重要中心。
据悉，安世半导体将于2024年6月启动首条高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线，并计划在两年内建成SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线。同时，汉堡工厂还将进行基础设施自动化升级，扩大硅生产能力，并新建研发实验室，以确保从研究到生产的无缝衔接。
此次投资正值汉堡工厂成立100周年之际，安世半导体与汉堡经济事务部共同庆祝并展望未来，致力于持续为全球市场提供高质量、低成本的半导体产品。
