日本NAND Flash巨头铠侠（Kioxia）宣布，将于2024年7月正式量产其最先进的218层3D NAND Flash，每芯片容量高达128GB，较之前产品提升约50%，且能耗降低30%。

此外，铠侠还展示了储存量翻倍至256GB的样品，专为AI等大数据应用设计，并于7月3日出货。

随着市场回暖，铠侠自去年减产后，现已全面恢复生产，NAND产线稼动率重回100%。

公司还与威腾电子（WD）合作，在日本投资7,290亿日圆（约47亿美元）扩产，包括新建厂房，预计2025年投产，并获得日本政府补贴支持。

此轮扩产不仅限于铠侠，三星电子、SK海力士等大厂也纷纷提升NAND产量，行业进入新一轮扩产周期。