三星电子正引领半导体存储技术的一场深刻变革，其最新举措是在第9代V-NAND的生产工艺中大胆引入钼（Mo）材料，以突破传统技术瓶颈，实现性能与密度的双重飞跃。据可靠消息，三星已从泛林集团购置了首批5台钼沉积机，并计划在未来一年内再增购20台，以加速这一创新技术的应用步伐。

不同于广泛使用的六氟化钨（WF6），钼前驱体以固态形式存在，需经过精密设备加热至600摄氏度方能转化为气态，这一独特的物理特性为其在V-NAND制造中的应用开辟了新路径。三星巧妙地在氧化物-氮化物-氧化物（ONO）结构中用钼替代了钨，这一举措不仅提升了晶体管的电阻率，更为NAND芯片堆叠更多层数提供了可能，进一步推动了存储密度的极限。

尤为值得关注的是，钼的应用还带来了显著的性能提升。通过降低层间高度约30%至40%，三星成功减小了NAND的延迟，为用户带来更加流畅的数据处理体验。这一技术突破无疑将重塑NAND材料价值链，推动整个行业向更高层次发展。

为了确保钼材料的稳定供应，三星已与英特格（Entegris）和Air Liquide等全球领先的材料供应商建立了紧密的合作关系，同时，默克等知名企业也积极向芯片制造商提供钼材料样品，以抢占市场先机。此外，SK海力士、美光和铠侠等业内巨头也纷纷跟进，计划在其NAND生产中引入钼材料，共同推动这一技术变革的深入发展。