据最新消息，任天堂Switch 2的游戏卡可能会采用三星第五代V-NAND闪存技术。
据YouTube频道Doctre81分享的一段视频报道，一位在三星电子装置解决方案部门工作至2019年的前高级总监的LinkedIn页面揭示了一些重要信息。这位前员工曾领导开发了一款专为未指明任天堂游戏主机设计的NAND闪存控制器装置，这很可能与任天堂Switch 2有关。
在这位前三星员工的职业成就中，提到了由三星第五代V-NAND闪存驱动的安全增强型eMMC卡的开发。这一信息与任天堂即将采用的新型NAND闪存控制器装置高度吻合，同时也与一些其他资讯相符，如创新的安全性和设计新的PUF IP（物理不可克隆功能）。
虽然三星目前已经开发出了更先进的第9代和第10代V-NAND，但任天堂选择第五代V-NAND的原因可能是其高达1.4GB/s的读取速度。尽管以今天的标准来看，这并非最尖端的技术，但对于任天堂的游戏来说，这样的速度应该已经足够，并且相比前一代产品有了显著的提升。
随着存储技术的升级，任天堂Switch 2无疑将带给玩家更为流畅和丰富的游戏体验。
