韩国加速布局SiC、GaN晶圆代工
来源:ictimes 发布时间:2 天前 分享至微信

韩国8寸晶圆业者正积极投资新一代功率半导体SiC和GaN,以应对全球竞争。DB Hitek已订购SiC离子布植设备,并推进GaN制程研发,预计2025年量产。SK Key Foundry也成立GaN开发组,计划下半年量产,并拓展至SiC领域。


SiC和GaN功率半导体在能效和耐久性上优于传统硅材料,市场潜力巨大。据预测,SiC市场将从2021年的10亿美元增长至2027年的62亿美元,GaN市场也将显著扩张。


面对国际大厂主导的市场格局,韩国政府与企业联手,计划在未来五年内投入巨资支持技术研发,构建生态体系。三星电子也将于2025年提供GaN晶圆代工服务。


尽管韩国在化合物功率半导体领域起步较晚,但凭借强大的晶圆代工和设计能力,以及政府的大力支持,正迅速提升竞争力。


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