英诺赛科推出100V半桥合封氮化镓芯片
来源:ictimes 发布时间:2024-06-24
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英诺赛科近期重磅推出了ISG3202LA,这款氮化镓半桥合封芯片以其高集成度、高效率、高性能和高功率密度,为48V数据中心、汽车电子和马达驱动等应用领域带来了革新。
ISG3202LA不仅拥有100V的耐压和两颗100V/3.2mΩ的低导阻,更采用了LGA 5X6.5的封装形式,确保在紧凑的空间内提供强大的性能。
这款芯片集成了两颗100V氮化镓、一颗半桥驱动器以及必要的电容电阻,显著简化了系统BOM,减少了占板面积高达73%。其优化的功率回路设计支持高达5MHz的开关频率,实现高效率与低EMI。更值得一提的是,ISG3202LA具有极短的传输延迟和近乎完美的延迟匹配,内置智能自举开关保证驱动电压一致性,同时多种过压、欠压、过温保护机制也增加了系统的可靠性。
与市面上同规格产品相比,ISG3202LA内置VCC/BST电容,进一步简化了系统成本。其传输延迟仅为14ns,延迟匹配更佳,VCC静态电流更低,这些优势都使得ISG3202LA在市场上脱颖而出。
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