中国氮化镓半导体领域的领军企业英诺赛科，近日面临了来自英飞凌的专利侵权指控。然而，英诺赛科坚决反驳了这些指控，认为它们毫无根据且影响有限。

据悉，英飞凌在美国和德国对英诺赛科提起诉讼，声称后者侵犯了其氮化镓技术专利。然而，英诺赛科对此表示质疑，并指出英飞凌的指控主要聚焦于氮化镓晶体管的封装技术，而非氮化镓功率半导体的核心技术。因此，英诺赛科认为这些指控不会对其氮化镓晶圆的生产和销售造成实质性影响。

尽管英飞凌在德国慕尼黑地方法院获得了初步禁令，禁止英诺赛科在PCIM Europe 2024展会上展示被指控侵权的产品，但英诺赛科表示，这一禁令仅针对展会，并不影响其正常的生产和经营活动。此外，英诺赛科还表示，英飞凌提出的其他专利侵权指控仅涉及其650V至700V氮化镓晶体管产品系列的一小部分，对其整体业务影响不大。

英诺赛科坚称，将积极应对英飞凌的指控，并在慕尼黑法院为自己辩护。同时，该公司也计划追究英飞凌的责任，以维护其合法权益。