基于VGaN技术,英诺赛科革新BMS系统
来源:ictimes 发布时间:2024-06-13
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随着全球绿色能源和低碳环保理念的日益深入人心,移动储能和电动小型动力市场迎来了前所未有的发展机遇。然而,电池的安全性及利用效率问题始终是行业发展的瓶颈。在这一背景下,电池保护技术(BMS)的升级显得尤为迫切。英诺赛科凭借其领先的氮化镓(GaN)技术,为BMS系统带来了革命性的改变。
氮化镓作为一种新型半导体材料,以其高频、高效、高功率密度和耐高温的特性,在快充市场已展现出显著优势。而英诺赛科研发的VGaN系列产品,不仅继承了氮化镓的卓越性能,还实现了受控的双向开通与关断,这一创新技术使得VGaN能够以一敌二,替代传统的两颗NMOS对管。
在最新的48V/180A BMS Demo方案中,英诺赛科巧妙运用了VGaN技术。该方案采用16颗INV100FQ030A VGaN产品,以其小封装、低导通电阻的特性,成功替代了18对Si MOSFET(共计36颗)。这不仅大大减少了占板面积和系统回路阻抗,还显著降低了系统成本。
VGaN BMS系统框图展示了其高边充放同口的设计特点。通过VGaN驱动电路,该系统能够轻松实现正常充放电、充电保护、放电保护、休眠等四种状态,为电池提供了全方位的保护。
VGaN作为英诺赛科自主研发的双向导通氮化镓功率器件,其在BMS系统中的应用优势显著。一颗VGaN即可替换两颗NMOS,导通电阻更低,发热减少,温升更低,同时占板面积更小。这些优势使得英诺赛科的BMS驱动方案在移动储能、电动车等系统中得到了广泛应用。
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