在半导体制造领域，光刻机技术的演进是推动芯片工艺不断向前发展的关键力量。当前，ASML作为光刻机市场的领军企业，其LOW NA EUV（Low Numerical Aperture Extreme Ultraviolet）光刻机已经成为业界广泛应用的明星产品。这种光刻机以其较低的数值孔径（NA=0.33）和相对较低的成本（约1.5亿欧元）而备受青睐，主要用于制造7nm及以下工艺的芯片。

然而，随着芯片工艺的不断进步，LOW NA EUV光刻机的极限逐渐显现。尽管ASML声称其可以支持到2nm工艺，并通过多重曝光技术达到1.4nm量产的极限，但要继续向下探索，就需要转向High NA EUV光刻机。这种光刻机拥有更高的数值孔径（NA=0.55），能够打印更细的线宽，并支持到1nm工艺的量产。如果再加上多重曝光技术，它甚至能够满足2033年量产的5埃米（0.5nm）工艺需求。

然而，技术的演进并非一帆风顺。ASML已经规划了下一代Hyper NA EUV光刻机（NA=0.75），这被业界称为“超级”光刻机，其潜在的制造能力将触及2埃米（0.2nm）以下的制程节点。然而，ASML自己也承认，要实现这一技术目标，还需要攻克许多技术难题，可能需要长达10年的时间，甚至可能永远无法攻克。

然而，随着技术的不断逼近物理极限，现有的光刻技术路线也面临着终结的挑战。当工艺达到0.2nm时，现有的光刻技术可能已经无法再进一步缩小金属间距。这意味着，未来的半导体制造将需要寻找新的技术路径，以突破这一极限。