ASML:3nm实为23nm,3nm到底是什么?
来源:ictimes 发布时间:2024-06-17 分享至微信

在科技界,3nm的芯片工艺一直备受瞩目,尤其是台积电早已实现了这一突破,而苹果的A17 Pro则成为了全球首款搭载3nm手机芯片的产品,由台积电代工。这一成就不仅代表着技术的最高水平,也引发了关于“3nm”究竟指的是什么的热议。

事实上,“3nm”并不是指晶体管大小、栅极宽度或金属半节距,而是一个标志性的说法。早期的芯片工艺是根据芯片晶体管的栅极长度(gate length)来定义的,栅极长度越长,工艺就越高。然而,随着技术发展,晶圆厂开始通过缩短栅极长度来提升工艺,这导致了栅极长度与工艺之间不再直接对应。


从28nm工艺开始,芯片工艺被称为等效工艺,与栅极长度等指标已经没有直接联系。各大晶圆厂如台积电、三星和Intel都按照自己的标准命名各自的工艺,导致了一片混乱局面。尽管如此,我们仍然可以通过栅极长度或金属半节距来了解实际的工艺水平。


举例来说,台积电的最新3nm工艺,实际上对应的金属半节距约为22.5nm,而非传统意义上的3nm。这也是为什么虽然EUV光刻机使用的波长是13.5nm,却能够刻录出2nm或1nm芯片的原因,因为它实际上是按照金属半节距来确定工艺的。


总之,尽管芯片工艺的命名方式存在一定的混乱,但这种现象在技术发展的早期就已经存在了。由于行业规则主要由少数几家大厂制定,因此他们决定了最终的命名方式。所以,即使我们对“3nm”有所保留,我们也只能接受这样的标准。


通过这些背后的技术细节,我们可以更好地理解和评估不同工艺的实际水平,而不是仅仅受到名称的限制。这种科技背后的复杂性和创新精神,正是推动行业不断进步的动力源泉。


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