在最新一期报告中，全球知名投资银行摩根士丹利发出警告，存储市场正面临一场“前所未有”的供需失衡危机。这一预测主要基于人工智能技术的迅猛发展，它正推动着DRAM和HBM等内存产品的需求激增。

报告详细分析了DRAM市场的现状和未来趋势。由于近年来DRAM厂商新增产能有限，同时HBM的生产又占用了大量产能，DRAM市场正进入一个供需严重失衡的“超级周期”。摩根士丹利预测，到明年，标准型DRAM的供应缺口将高达23%，这一缺口比例在近年来实属罕见。随着缺口的扩大，DRAM价格预计将持续上涨。

对于价格涨幅，摩根士丹利对今年第三季度DRAM和NAND芯片的价格涨幅预测进行了上调。原本预计DRAM和NAND的价格涨幅分别为8%和10%，现在这一预测已被上调至13%和20%，调升幅度超过六成。这一显著的涨幅反映出存储市场的紧张状况以及未来可能的价格波动。

此外，报告还对HBM市场的未来发展进行了预测。摩根士丹利预计，到2025年，HBM的市场份额将显著增长，其总可寻址市场（TAM）预计将从2025年的370亿美元增长至2027年的700亿美元。