荷兰费尔德霍芬，2024年6月3日消息，全球领先的半导体设备制造商ASML宣布，与比利时微电子研究中心（IMEC）合作，在此处开设了联合High-NA EUV光刻实验室，旨在推动先进制程芯片的生产与研发。
High-NA EUV技术是EUV技术的最新进展，通过提高数值孔径（NA）来增强光刻设备的分辨率和聚焦能力，从而支持更小尺寸的电路图案制造。据ASML透露，他们的最新High-NA EUV设备的NA将从0.33提升至0.55，将能够绘制出更为精细的电路结构。
新开设的实验室将提供第一台原型高数值孔径EUV扫描仪（TWINSCAN EXE: 5000），以及周边的处理和计量工具。这一进展被业界视为High-NA EUV技术在大规模生产准备中的重要里程碑，预计将在2025-2026年间迎来大规模应用。
“High-NA EUV是光刻领域的下一个里程碑，有望一次性实现20纳米间距的金属线/空间图案化，并支持下一代DRAM芯片的制造。”IMEC总裁兼首席执行官Luc Van den hove表示。
三星电子则与ASML和ZEISS合作，在韩国设立新的研发中心，专注于开发能够实现亚2nm工艺的High-NA EUV设备。
总体而言，ASML与IMEC的合作开设High NA EUV光刻实验室，标志着半导体制造行业向更先进制程的迈进，将极大地推动摩尔定律在电子工艺领域的应用，加速了先进制程芯片的研发与生产。
