剑桥氮化镓器件（CGD），一家专注于高效环保半导体技术的公司，推出了一系列新型GaN功率器件，旨在创建更环保的电子组件。近日，CGD推出了两款全新的ICeGaN产品系列，采用GaN功率IC封装，具有低热阻和便于光学检查的特点。这两种封装都采用了经过验证的坚固DFN封装。

DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄型的双面散热封装，尺寸仅为10x10毫米，采用侧面可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（Rth(JC)），支持底部、顶部和双侧冷却方式，设计灵活性强。在顶部和双侧冷却配置中，其性能优于传统的TOLT封装，适用于需要高达6千瓦应用的设计，双极引脚设计优化了PCB布局，简化了并联连接。

BHDFN-9-1（底部散热器DFN）是一种底部冷却组件，同样采用侧面可湿焊盘技术，便于光学检查。其热阻为0.28 K/W，比肩或优于其他领先设备，在紧凑的10x10毫米尺寸内具备相似的封装布局，可以与传统的TOLL封装的GaN功率IC兼容，便于使用和评估。

剑桥氮化镓器件通过推出最新的DHDFN-9-1和BHDFN-9-1封装，提供了增强的热性能和广泛的高功率应用设计灵活性，进一步彰显了其在GaN功率IC领域的创新能力和可持续发展承诺。