在全球半导体行业持续演进，尤其是DRAM技术不断向细线路化方向发展的背景下，韩国两大半导体巨头SK海力士和三星电子正积极寻求技术突破，以巩固其在市场中的领导地位。

最新的消息显示，两家公司均有意在1c（10纳米第六代）DRAM量产中引入新一代金属层氧化光阻剂（MOR），以进一步提升制程效率和产品质量。

据业界消息，SK海力士与Infria达成合作，计划在其1c DRAM量产中采用Infria的极紫外光（EUV）用MOR产品。这一先进材料将用于DRAM曝光制程的关键部分，实现更精细的线路制作。

SK海力士表示，他们正与合作伙伴共同开发新材料，以提升产品竞争力。MOR的引入将有望降低EUV制程成本，为新一代DRAM带来更高的效能和可靠性。

与此同时，三星电子也在考虑在其1c DRAM的EUV制程中引入MOR。这一举措显示出三星对新技术应用的积极态度，以及对提升产品性能的不懈追求。

Infria作为无机物为基础的光阻剂领先企业，将与SK海力士和三星等半导体企业紧密合作，共同推动MOR技术的研发和应用。随着新技术的不断成熟和应用，半导体行业将迎来更加广阔的发展前景。