HBM需求火热,下半年DRAM或供不应求
来源:ictimes 发布时间:2024-05-21 分享至微信
三星、SK海力士及美光等国际存储器巨擘,皆积极投入高频宽存储器(HBM)制程,法人表示,在产能排挤效应下,下半年DRAM产品恐供不应求,预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。
据TrendForce研究,DRAM原厂提高先进制程投片,产能提升将集中今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片,至年底将占DRAM总投片比重约40%。
由于HBM获利表现佳,加上需求续增,生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看,2024年HBM3e将是市场主流,集中在2024年下半年出货。
SK海力士依旧是主要供应商,与美光均采1beta nm制程,两家业者现已出货辉达(NVIDIA);三星则采用1alpha nm制程,预期2024年第二季完成验证,于年中开始交付。
PC、服务器、智能型手机三大应用单机搭载容量增长,对先进制程的消耗量也逐季提升,其中,又以服务器容量提升最高,随着Intel、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量产后,其存储器规格仅能采用DDR5,预期2024年DDR5渗透率至年底将逾50%。
HBM3e出货将集中下半年,期间同属存储器需求旺季,DDR5与LPDDR5(X)预期需求也将看增。在HBM投片比重扩大的情况下,将使得产出有限,下半年产能配置,将会是供给是否充足的关键。
由于NVIDIA GB200将于2025年放量,其规格为HBM3e 192/384GB,预期HBM产出将接近翻倍,各原厂将投入HBM4研发,因各家产能规划皆以HBM为优先,在产能排挤效应下,DRAM产品恐供应不及。
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