本周，江西兆驰半导体有限公司在Micro LED技术领域取得重要进展，两项关键专利分别在实质审查和授权阶段。

首先，“一种Micro LED的封装方法”专利目前正处于实质审查阶段。该方法创新性地解决了因热胀冷缩导致LED芯片位置不稳的问题。传统封装技术中，LED芯片因热胀冷缩而出现高度差异，影响发光效果，从而降低产品良率。新方法则通过优化封装工艺，确保LED芯片在封装后保持平整，提高了发光质量和产品合格率。

其次，“一种Micro LED外延片及其制备方法、LED芯片”专利已进入授权阶段。该专利采用AlNbN作为第一缓冲子层材料，有效减少了晶格失配度，提升了外延层的晶体质量。同时，AlONbN作为第二缓冲子层材料，调节了外延层的翘曲，显著降低了位错密度，提升了Micro LED外延片的发光效率和稳定性。这一技术突破为高品质Micro LED显示提供了新的解决方案。

这些创新不仅展示了江西兆驰半导体在Micro LED技术上的强大研发能力，也为整个行业带来了积极的影响，推动了Micro LED技术的商业化进程。

江西兆驰半导体通过不断创新，为Micro LED技术的发展注入了新的活力，未来值得期待。