传长鑫存储与通富微合作开发HBM芯片
来源:ictimes 发布时间:2024-05-16 分享至微信

随着人工智能(AI)技术的迅猛发展,国内至少有两家芯片制造商正处于生产用于AI的高带宽存储器(HBM)的早期阶段。这表明国内企业在减少外部供应依赖的同时,加速了在人工智能领域的布局。


据路透社报道,国内最大的DRAM制造商长鑫存储正在与芯片封装测试企业通富微电子合作,开发HBM芯片试制样品,并计划向客户展示这些样品。


长鑫存储自去年起就被视为国内发展HBM最有希望的企业之一,尽管产品推向市场可能需要较长时间。该公司与其他国内芯片企业定期举行会议,以购买相关设备并推动HBM技术的研发。


另外,武汉新芯计划涉足HBM领域,并已启动IPO上市进程。数据显示,武汉新芯的最大股东是知名的NAND Flash业者长江存储,这表明国内芯片行业内部的合作与支持。


华为也在积极布局半导体领域,多名消息人士透露,华为计划与其他当地企业合作生产HBM2,以应对美国的制裁和出口管制。华为的这一举措被认为是其加强芯片供应链布局的一部分,同时也反映了中国企业在半导体领域的雄心与实力。


对于国内企业加速研发人工智能用高带宽存储器的举措,业界普遍表示乐观。这不仅有助于提升国内芯片产业的竞争力,也为中国在人工智能领域的发展注入了新的动力。


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