近日，武汉长飞先进半导体基地项目成功完成了首榀桁架吊装，标志着该项目的钢结构施工全面铺开。该项目涉及两座大跨度桁架屋面、五座大跨度连廊和一座超长管廊的建设，其中单榀桁架的最大重量达到25吨，最大跨度为33.7米。
该项目位于湖北省武汉市，预计总建筑面积约为25.15万平方米。一旦建成，它将具备年产36万片6英寸SiC MOSFET晶圆和6100万个功率器件模块的能力，产品将广泛应用于新能源汽车、光储充、电力电网等领域。
作为项目的主导者，去年8月，长飞先进与武汉东湖高新区管委会签署了合作协议，共同打造第三代半导体功率器件研发生产基地。紧接着的一个月后，长飞先进半导体武汉基地正式开工建设。该项目的总投资预计将达到200亿元，其中一期投资为100亿元，预计将于2025年完成建设。一期项目将实现年产36万片SiC MOSFET晶圆的生产能力，涵盖外延、器件设计、晶圆制造、封装等全流程。
作为一家SiC功率半导体产品研发及制造厂商，长飞先进具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。目前，其年产能包括6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块和1800万只功率单管，可提供从650V到3300V的SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。
