针对锑化镓（GaSb）红外磊芯片市场的迅速崛起，英特磊董事长高永中发表看法，他表示公司已将发展重心放在了这一领域。据悉，仅在第一季度，就有三台机台投入生产，且交货时间大幅缩短，显示出市场对该产品的迫切需求。同时，他也指出了美国芯片法案在政府加速推进下有望加速申请进度，为行业发展注入了一剂强心针。

除了锑化镓红外磊芯片外，英特磊的各磊晶产品线也呈现出强劲的增长势头。多家客户对公司MBE机台及设计表示高度认可，这意味着未来公司在这一领域的竞争优势将进一步巩固。针对美国《芯片与科学法案》的申请进展，高永中表示目前情况正常，并且公司也在积极申请德州芯片法案，为未来的发展奠定了基础。

在产品方面，除了锑化镓外，磷化铟、砷化镓等产品也都保持着稳健的增长态势。磷化铟产品线主要用于光纤网络及高速传输，而砷化镓则在射频前端芯片领域占据重要地位。

此外，公司还在不断完善生产设施，新厂二期扩建及机台升级计划正在进行中，预计将在2025年初完成，进一步提升公司的整体营运能力。

英特磊2024年第1季合并营收为新台币1.89亿元，年增27.71%，尽管税后净损1,315万元，但整体营收仍呈现稳定增长。公司也表示将继续努力提高产品质量和服务水平，以满足不断增长的客户需求。

综上所述，英特磊展望乐观，各项业务均呈现出强劲的发展势头，特别是在锑化镓红外磊芯片领域，公司已经具备了良好的市场地位和竞争优势，预计未来将有更大的发展空间。