3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK海力士出局！

英伟达所需的12层HBM3E内存将由三星独家供货。这一决定基于三星电子在2024年2月27日宣布成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM内存的消息。据报道，英伟达计划从9月开始大量购买这些内存，且这一合作将由三星电子独家承担供货任务。此外，SK海力士因部分工程问题未能参与此次供应，而三星的HBM3产品也于2024年第一季度通过了AMD MI300系列验证，加快了追赶SK海力士的步伐。这表明三星在HBM3E内存领域的技术领先和生产能力得到了市场的认可。因此，可以确认英伟达所需的12层HBM3E内存确实将由三星独家供货。

三星技术特点：

采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。

先进的TC-NCF技术有效提升垂直密度和热稳定性，同时最大限度地减少了由于芯片变薄而可能发生的“翘曲现象”，有利于高端堆叠扩展 。

市场地位：此次成功开发标志着三星在高容量HBM市场的领先地位得到了进一步巩固 。

三星电子推出的这款36GB 12H HBM3E DRAM内存，不仅在容量和性能上实现了重大突破，其采用的先进技术也为其在高容量HBM市场中的领先地位提供了有力支撑。

英伟达计划从9月开始大量购买的12层HBM3E内存的具体数量为141GB，用途主要是为了升级其最强AI芯片，即H200 AI芯片。这些内存将采用6个24GB的堆栈，使用6,144位的存储器接口。HBM3e内存的特点是不仅增加了GPU的容量和内存量，而且速度也更快。此外，美光宣布量产的HBM3e内存可提供24GB容量，有助于数据中心轻松扩展其AI应用，无论是训练大规模神经网络还是加速推理任务都能提供必要的内存带宽。这表明英伟达购买的HBM3E内存主要用于提升其AI芯片的性能，特别是在处理大模型运行能力方面，预计能提升3.5倍。

SK海力士未能参与此次供应的原因可能与以下几点有关：

谈判失败：SK海力士在与某些方的谈判中失败，这可能导致了其未能参与某些供应链的合作。虽然具体的谈判内容和对象没有明确说明，但谈判失败是一个可能导致其未能参与供应的因素。

美国政策的影响：SK海力士正面临由于美国半导体政策的不利影响所造成的困境。这种政策可能限制了SK海力士在中国的运营和投资，从而影响了其供应链的稳定性和参与度。

市场需求下滑：存储市场需求的下滑也是SK海力士面临的一个挑战。尽管SK海力士未宣布减产，但它已经将资本支出大幅缩减了50%，这表明公司正在应对市场需求减少的问题，可能间接影响了其参与供应链的能力。

新冠特殊需求结束导致的大衰退：新冠疫情特殊需求的结束导致了大衰退，这对SK海力士等半导体制造商构成了挑战。这种宏观经济环境的变化可能也影响了SK海力士的供应链参与情况。