在芯片领域的巅峰技术挑战中，中芯国际和华为或将面临制造5纳米芯片的巨大挑战。据“芯片大师”林本坚透露，尽管在现有DUV设备上制造5纳米芯片是可行的，但这一过程至少需要四次昂贵的图案化步骤。
林本坚表示，华为的P70系列预计将在2024年推出，但目前关于这些旗舰手机所使用的芯片组仍是个谜。他认为，虽然在DUV设备上从7纳米向5纳米芯片的过渡是可能的，但这将带来时间和成本的双重负担。报告指出，在中芯国际现有的DUV光刻机上，生产5纳米SoC至少需要进行四次昂贵的图案化过程。
然而，这种工艺不仅非常耗时，而且成本高昂，对整体产量产生负面影响，预示着华为可能面临P70系列芯片供应不足的风险。林本坚未对使用EUV设备与DUV设备进行大规模生产5纳米芯片进行比较。由于尖端设备制造商ASML被禁止向中芯国际等中国实体提供必需设备，这也为华为的技术挑战增添了难度。
另一大挑战在于使用DUV设备时需要多次精确对准，可能导致生产时间延长和良率降低。林本坚指出，尽管沉浸式DUV技术可以实现六倍图案，但由于上述问题，仍然存在一系列挑战。鉴于这一技术局面，中芯国际可能向华为收取高昂费用，同时芯片产量下降可能导致麒麟SoC的价格进一步上涨。
