据日经新闻（Nikkei）和彭博（Bloomberg）等媒体报道，日本半导体企业Rapidus于4月1日正式启动了位于北海道千岁市的新工厂IIM-1。该工厂将专注于2纳米芯片的研发与试产，但良率提升与客户获取仍是其面临的主要挑战。

Rapidus社长小池淳义在当天的记者会上表示，未来的关键任务包括提高产品良率并确保可靠性。目前，Rapidus已与30至40家企业展开接触，预计在2025年内确定潜在客户名单。不过，小池淳义坦言，受限于公司规模，客户数量可能不会超过10家。

关于2纳米芯片的试产计划，小池淳义透露，4月内将开始在试产线上投入晶圆，预计第一批试作品将在7月中旬至下旬完成。目前，已有约150名技术人员启动了200多台设备，而到2027年，公司员工规模预计将扩大至1000至2000人，并逐步引入更多生产设备。

Rapidus计划在2027年实现2纳米芯片的量产，但小池淳义强调，2纳米技术的量产难度极高，目前的进展仅是“第一个回合”。公司从美国IBM获得了2纳米半导体生产技术授权，并正在开发小芯片（Chiplet）技术。预计后段制程的试作将于2025年下半年启动，而小芯片的正式量产则定于2027年下半年至2028年初。

然而，2纳米芯片的量产并非易事。岩井Cosmo证券的资深分析师斋藤和嘉指出，IBM的2纳米技术仍处于研发阶段，而极紫外光（EUV）曝光机的操作也需要时间，因此直接量产最先进制程的芯片几乎是一项不可能完成的任务。

即便设备和技术准备就绪，良率问题仍是巨大挑战。韩国三星电子和美国英特尔在上一代技术中已因良率问题而陷入困境，台积电也需逐步优化才能迈向2纳米量产。斋藤和嘉认为，Rapidus首批2纳米芯片试作品的良率若能达到10%，已属不易。若Rapidus在量产和订单获取上遇到困难，与台积电合作可能成为更现实的选择。

小池淳义则表示，Rapidus的初期目标是实现50%的良率，最终目标为80%至90%。与此同时，日本维新会众议院议员空本诚喜在国会质询中建议，如果先进制程的良率无法突破，Rapidus可考虑转向需求更稳定的5或7纳米芯片生产。