据韩媒报道，有预测认为，随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈，未来DRAM制程可能引进混合键合技术，以提高DRAM的集成度，量产64Gb以上的DRAM产品。

当前存储业者针对DRAM产品研发，主要投入减少电路线宽、提高集成度等，但随着电路线宽进入10nm级，电流泄漏等技术问题开始显现。因此，将DRAM像NAND Flash一样向上堆叠的3D DRAM技术，开始受到业界关注。

信息显示，新一代封装技术混合键合技术，通过铜对铜（Cu-Cu）来连接晶片，输入与输出速度（I/O）可望大幅增加，有望助力实现3D DRAM。

不过也有分析认为，DRAM与环绕式闸极（GAA）、NAND不同，难以采用3D结构，透过4F Square单元结构改善晶粒面积成功率较高。

4F Square DRAM采用垂直向上的电晶体（transistor）结构，相较既有的6F Square单元结构，晶粒面积将有望缩小为原本30%左右。据悉，三星当前以4F Square为主力，传已于半导体研究所内部成立研发小组。

SK海力士和美光则致力研发3D DRAM，特别是因3D DRAM可不使用极紫外光（EUV）设备，对美光较为有利。

近期SK海力士也发表3D DRAM新一代通道材料「IGZO」，由铟（In）、镓（Ga）、氧化锌（ZnO）组成，具备高稳定性及低待机功耗，适合用于DRAM单元电晶体，有望加速3D DRAM的研发。