美格纳半导体公司宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格纳极限沟槽中压MOSFET，是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。

在大功率设备中，能源效率对于降低功耗和确保稳定性至关重要。利用美格纳尖端的沟槽式MOSFET技术，这些新发布的第8代150V MXT MV MOSFET（MDES15N056PTRH，MDU150V113PTVRH）被创造出来。特别是，与上一代产品相比，MDES15N056PTRH的RDS（导通）（MOSFET的漏极和源极之间的电阻值）比上一代降低了22%，从而显著提高了应用的能效。

与早期版本相比，MDES15N056PTRH和MDU150N113PTVRH的品质因数（FOM：RDS（on） x Qg）分别提高了23%和39%。这是通过增强核心单元和端接的设计来实现的。此外，D2PAK-7L （TO-263-7L） 和 PDFN56 等表面贴装型封装的使用减小了 MOSFET 的尺寸，从而实现了各种应用的灵活设计。这些应用的一些示例包括电机控制器、电池管理系统 （BMS）、家用太阳能逆变器和工业电源。

继去年推出五款采用新封装的第八代 200V 和 150V MOSFET 以及两款新的 150V MXT MV MOSFET 产品之后，美格纳现已推出另外两款 150V MXT MV MOSFET 产品。据该公司称，美格纳将继续扩大其高效MXT MOSFET产品组合，其中很快将包括采用180nm微细加工技术的新版本。