芯片制造过程中毋庸置疑会产生大量废气，比如湿法工序产生的酸气，CVD工序产生的 NF 3 , SiH 4，TEOS等，离子注入工序产生的BF3 , PH 3 , AsH 3等，干法刻蚀工序产生的Cl2 ，CF4 , SF6等。这些废气中绝大多数都是有毒有害的，需要经过严格的处理，我们通常会用一些“塔”进行处理，那么这些“塔”的原理是什么呢？

废气处理常用手段？

化学洗涤：
使用化学溶液中和或反应废气中的污染物。
常用于处理含有酸性或碱性污染物的废气。

吸附：
使用固体吸附剂吸附废气中的有机化合物或其他污染物。
用于处理挥发性有机化合物（VOCs）和恶臭物质。

水洗涤：
使用水去除废气中的颗粒和气态污染物。
可以处理多种不同的污染物。

高温燃烧
使用高温燃烧废气中的有机化合物。
常用于处理可燃性废气。

氧化
将有机化合物和某些其他污染物催化或氧化为二氧化碳、水和其他无害的化合物。

等等

废气处理中有哪些“塔”？

一般用的较多的是：湿式洗涤塔，干式吸附塔。湿式洗涤塔又分两种：一种是普通的湿式洗涤塔，以水为洗涤剂；一种是以化学溶剂为洗涤剂的洗涤塔。有旋转式，高压喷射式，板式等，我这里就以高压喷射式为例。

以水为洗涤剂的湿式洗涤塔

主要处理一般的酸碱废气，酸碱废气一般是可溶性的，溶解在水中形成酸溶液或碱溶液。形成的废酸，废碱再导入废水处理系统进行处理。而少量未处理的废气可以进行燃烧处理。

高压喷射式湿法洗涤塔

可以用来处理SiH4，BCl3，SiH2Cl2，Cl2，CHF3等等。一般是CVD与干法刻蚀工序产生的废气。

以SiH4为例，化学反应式为：
SiH4+2H20==SiO2+4H2
SiO2+2NaOH==Na2SiO3 + 2H2O

高压喷射式湿法洗涤塔是将碱性（NaOH）溶液加压，通过雾化喷头将NaOH溶液喷出气雾状，并与SiH4等气体进行充分反应，反应完成后将废液排入废水处理系统处理，而剩下的废气则进行燃烧处理。

干式吸附塔

顾名思义，没有或较少的液体的参与。一般内部填充的有活性炭或沸石或金属氧化物等吸附物质，废气通过时将废气吸附，未完全吸附的废气进行燃烧处理。主要是处理离子注入工序中的AsH3，PH3等。化学反应方程式为：
aAsH3+bNO==cNAs+dH2O
aPH3+bNO==cPAs+dH2O

其中a,b,c,d为其系数，N为多种金属：Zn，Ni，Cu等。

当然，一般大型的芯片厂也会将每个分散的洗涤塔，吸附塔处理后的气体，统一排入中央废气洗涤塔，在处理后再进行燃烧并排入大气。

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