【研发】海光四号CPU研发进展顺利；华虹宏力“半导体结构及其形成方法”专利公布；西安交大构筑四苯乙烯多组分金属笼用于光催化产氢-icspec

【研发】海光四号CPU研发进展顺利；华虹宏力“半导体结构及其形成方法”专利公布；西安交大构筑四苯乙烯多组分金属笼用于光催化产氢

来源:集微网发布时间:2023-08-25

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1.海光信息上半年净利润同比增长42.35% 下一代CPU产品海光四号研发进展顺利

2.华虹宏力“半导体结构及其形成方法”专利公布

3.西安交大构筑四苯乙烯多组分金属笼用于光催化产氢

4.北京“专精特新”专板开板，首批50余家企业登陆

5.硬核解读维安200℃结温SiC肖特基

6.8.05亿元！天岳先进获SiC大单

1.海光信息上半年净利润同比增长42.35% 下一代CPU产品海光四号研发进展顺利

集微网消息 8月24日，海光信息披露了半年度业绩报告，2023年上半年，公司实现营业收入为26.12亿元，同比增长3.24%；归母净利润6.77亿元，同比增长42.35%。

海光信息表示，海光 CPU 和 DCU 产品的性能优异，在国内处于领先地位。公司始终围绕通用计算市场，通过技术创新、产品迭代、功能提升等举措，不断提升产品竞争优势；联合产业链上下游企业、行业用户等相关创新力量，实现协同技术攻关，共同打造安全、好用、开放的产品及解决方案。上半年，新产品海光三号投放市场，得到客户的充分认可，形成良好开局，使公司营业收入实现稳中有升，盈利能力进一步提升。

而这离不开公司持续加大研发投入，2023 年上半年海光信息研发投入 122,997.80 万元，较上年同期增长36.87%；公司研发技术人员 1,382 人，占员工总人数的 90.33%，76.99%以上研发技术人员拥有硕士及以上学历。

其指出，公司业绩的持续增长源于公司注重研发工作，始终保持高强度的研发投入，不断提高技术水平和产品的竞争优势。上半年，公司下一代CPU产品海光四号、海光五号，DCU 产品深算二号、深算三号研发进展顺利。

另外，海光信息积极构建基于海光 CPU 和海光 DCU 的完善的国产软硬件生态链，在操作系统、数据库、中间件、云计算平台软件、人工智能技术框架和编程环境、核心行业应用等方面进行研发、互相认证和持续优化，公司主动融入国内外开源社区，积极向开源社区提供适用于海光 CPU、海光 DCU的适配和优化方案，保证了海光高端处理器在开源生态的兼容性。

海光信息持续攻克高端处理器设计的若干核心技术，形成了大量自主知识产权。截至报告期末，公司累积取得发明专利 550 项、实用新型专利 81 项、外观设计专利 3 项、集成电路布图设计登记证书 200 项、软件著作权 206 项。

2.华虹宏力“半导体结构及其形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查消息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体结构及其形成方法”专利公布，申请公布日为8月22日，申请公布号为CN116631854A。

图片来源：天眼查

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的形成方法，其可以先在半导体衬底的表面的中间区域上自下而上依次形成衬垫氧化层和第一硬掩膜层，同时暴露出所述半导体衬底的边缘区域所对应的表面，然后，在利用局部氧化工艺，在所述暴露出的所述半导体衬底的边缘区域上形成边缘保护物层（即二氧化硅），之后，在对边缘区域形成有所述二氧化硅的边缘保护物层的半导体衬底进行后续的沟槽刻蚀、清洗等工艺，以通过将半导体衬底的边缘区域（晶边）的硅材料先转变成在后续沟槽刻蚀过程中不会被刻蚀的氧化硅之后，再对其进行刻蚀工艺，从而起到了包含晶圆边缘的硅材料，即减小晶圆边缘的硅材料发生损耗的目的，最终保证了形成的半导体结构的完整性。

3.西安交大构筑四苯乙烯多组分金属笼用于光催化产氢

光催化产氢因其具有经济高效、环境友好的优点，因此在生产清洁、可再生和可储存能源方面受到了极大关注。与传统金属配合物相比，金属有机笼状化合物由于具有可调的化学组成与明确的纳米尺度结构，这有助于调节金属笼内的电子或能量传递，从而提高光催化活性。然而，目前基于金属笼的光催化产氢体系大多缺乏用于光催化的不饱和金属中心，此外，实现高效的光催化产氢还需要将吸光能力良好的光敏剂引入至金属笼中，因此，发展同时满足以上需求并完成高效光催化产氢的金属笼需仍具有挑战。

针对这一问题，西安交通大学材料学院张明明教授课题基于多组分配位金属笼的优势与同网格合成的策略相结合，成功制备了一系列结构与功能可调的金属笼，值得注意的是，该策略可以在保持金属笼结构完整的基础上将金属铼催化剂与四苯乙烯光敏剂同时整合至金属笼中，从而实现高效光催化产氢，其产氢效率高达1707 μmol g-1h-1。此外，通过飞秒瞬态吸收光谱与DFT计算揭示了金属笼可以作为催化中心与光敏中心精确有序排列的平台，实现高效和定向的电子转移，从而实现优异的光催化性能。本研究提供了一种将多功能配体集成到特定金属笼中以提高光催化产氢效率的通用策略，这将指导未来金属笼在光催化设计中的应用。近日，该研究成果以《基于同网格合成策略构筑四苯乙烯多组分金属笼用于光催化产氢》（Isoreticular Preparation of Tetraphenylethylene-based Multicomponent Metallacages towards Light-Driven Hydrogen Production）发表在国际化学领域权威期刊《德国应用化学》（Angewandte Chemie International Edition）上。该论文第一作者为西安交大材料学院博士生穆超群、西安电子科技大学张雷副教授与西安交大前沿院李国平助理教授，通讯作者为西安交大材料学院张明明教授、侯亚丽博士与西安交大前沿院何刚教授。西安交大金属材料强度国家重点实验室是论文第一通讯单位。

该研究工作得到了国家自然科学基金、陕西省科技创新团队以及中央高校基本科研业务费等项目的资助。论文的表征及测试得到了深圳大学国晨星博士，西安交通大学分析测试共享中心、材料学院和化学学院分析测试中心的支持。

来源：西安交通大学

4.北京“专精特新”专板开板，首批50余家企业登陆

集微网消息，8月24日，北京“专精特新”专板开板，首批共50家企业登陆专板。

据专板运营主体“北京股权交易中心”介绍，北京“专精特新”专板目前已储备100余家企业；预计今年年底，专板各层次企业数量将突破200家；到2025年底将力争培育企业累计超过1000家。

北京“专精特新”专板是在北京市经济和信息化局、北京市地方金融监督管理局、北京证监局指导下，由北京股权交易中心具体负责建设，北京市中小企业公共服务平台、中金公司等协同建设的区域性股权市场特色化板块。

作为全国首批专板之一，北京“专精特新”专板将为北京市的专精特新企业及创新型中小企业提供更为全面的多层次资本市场服务，成为服务首都专精特新企业、加快完善首都中小企业金融支持体系的新样板。

开板仪式上，中国银行、工商银行、建设银行、北京银行、招商银行、中信银行、中关村银行与北京股权交易中心签约成为北京“专精特新”专板贷的合作单位，中金公司与北京股权交易中心共同打造认股权火炬研究院揭牌。

5.硬核解读维安200℃结温SiC肖特基

结温TJ（Junction Temperature）是电子设备中半导体芯片的实际工作温度，在实际案例中，它通常高于外壳温度。

结温和壳温（Case Temperature）可以衡量从半导体内封芯片到封装外壳间的散热所需时间以及热阻。

一个芯片结温的估计值TJ，可以从下面的公式中计算出来：

其中：TJ为结温，TA为环境温度，Rθ(J-C)为热阻，PD为功耗。

对于功率半导体器件而言，高的结温代表器件可以胜任更严苛（高温）的工作环境，承受更大的电流，且可以延长器件工作寿命。

硅基功率分立器件的发展，也是一部不断提高器件结温的历史。消费级硅基产品由最初的85℃结温要求，上升到100℃，125℃以及150℃，部分车规级别产品结温可以满足175℃。

结温提升的背后是应用端对高器件的高要求，以及芯片和封装的设计、工艺的飞速进步，高结温可以使半导体器件可以用于车载、航空、航天等领域。

SiC器件作为三代半导体的代表，它有着更高的禁带宽度（大约是硅器件的3倍），更优的热传导率（大约是硅器件的3倍）和更高的熔点（SiC约2830℃，硅约1410℃）。这些特质使SiC器件有着天生的高温稳定性，其结温远远优于硅器件。

目前市面量产SiC SBD产品结温多为175℃，远高于硅器件150℃结温标准，但为了扩大SiC SBD产品的安全工作区，以及应对特殊工况或特殊工作环境，更高结温的SiC SBD需求迫在眉睫。

近期，维安在芯片设计（工艺）以及封装设计（工艺）上取得突破，成功开发出200℃结温1200V SiC SBD产品。

WSRSIC020120NP4-HT的印章图

上图器件WSRSIC020120NP4-HT。其中型号中HT代表高结温（TJ=200℃）系列，产品本体上标印“HTL”以示区分，器件封装外形为TO-247-2L，工作电压VRRM=1200V，VF典型值1.45V@20A 25℃，IR典型值0.5μA@1200V 25℃，目前产品已经通过全套可靠性考核。其中IOL、HTRB等结温相关项目，可靠性满足TJ=200℃验证条件。

同时，该产品在芯片设计（工艺）以及封装设计（工艺）以及测试维度上也做出了优化和创新：

芯片设计（工艺）维度

WSRSIC020120NP4-HT芯片采用MPS结构，针对高结温需求，在衬底、外延、势垒金属、版图、钝化结构等方面进行了设计和优化。

为了更好的表征器件关键参数针对温度敏感性，维安在行业中率先引入表征器件关键参数温度稳定性的评估项目：