NAND Flash市场合纵连横加剧，韩国业界最近出现不少担忧声音，认为目前韩国存储器的领导者地位很可能面临影响力削弱危机，呼吁韩国业界应在技术领先方面多努力，政府也应该在人才培育及完善材料等生态系方面多着墨。

据韩媒Edaily报导，日前传日本铠侠（Kioxia）可能合并美国威腾（WD）NAND事业，恐因此挤下三星电子（Samsung Electronics），跃升成为全球最大NAND业者，引发韩国业界担忧。

DRAM与NAND市场规模展望

尽管如此，韩国业界也有不同意见，认为韩国企业的技术仍然领先，呼吁业者应致力开发更先进产品，布局未来市场。另一方面，学界专家认为，韩国应强化人才培育，加速完善材料、零件及设备生态系。

日前韩国半导体业界及学界专家表示，铠侠与威腾NAND事业合并后，市场版图将出现变化，可能对韩国企业构成威胁，忧心三星主导的NAND市场影响力减弱。随着铠侠与威腾NAND合并后的市占率增加，韩国企业很难持续主导市场，拟定对自身较有利的供应及定价策略。

如考虑NAND市场的成长潜力，韩厂领导地位削弱的威胁恐日益严重。调研机构Omdia指出，随着AI风潮兴起，数据中心需求增加，加上电动车、自驾不断扩张，NAND市场规模将在2025年超越DRAM，达843.8亿美元。

韩国目前仍在技术领域拥有领先差距。例如，NAND核心竞争力为向上堆叠能力，韩国企业依旧领先；三星量产堆叠236层第8代3D NAND，SK海力士（SK Hynix）量产堆叠238层3D NAND，皆为业界最高技术水准。 

基于此，专家指出铠侠与威腾合并后的市占率，可能只会暂时上升，未来如铠侠阵营无法在技术超越韩国，市占率可能下滑。这种情况，曾出现在2012~2013年，DRAM市场排名第四的美光（Micron）接手排名第三的尔必达（Elpida），市占率曾一度超过SK海力士，但2014年SK海力士又夺回第二，分析认为，这是技术差距并未缩小的结果。

韩国业界专家因此指出，韩国唯有保持技术领先差距，才有望持续引领NAND市场；为此建议韩国政府，除了关注系统半导体、晶圆代工，也应该多关心存储器产业，适时给予支持。

另一方面，学界专家认为人才培育，以及完善相关材料、零组件及设备生态系，也是韩国业界的当务之急。截至2022年，韩国材料、零组件及设备国产化自给率为30%，其中材料国产化自给率升至50%左右，相较之下零组件、设备的国产化，仍有许多成长空间。

然而，韩国业界最希望成真的剧本是，铠侠与威腾NAND事业合并，最后因反寡占审查无疾而终，三星仍持续稳坐市场龙头宝座，推测国内很有可能将此合并案批准与否，当成中美角力的一张王牌。