Nippon Sanso Holdings Group旗下的一家日本工业气体公司Taiyo Nippon Sanso（公司总裁：Kenji Nagata)，宣布推出世界上最先进的量产应用GaN（氮化镓）MOCVD系统*——UR26K-CCD。与传统系统相比，UR26K-CCD具有全自动晶圆处理和零件清洗功能，可将生产效率提高约2倍。

作为该公司的旗舰生产级MOCVD机型，他们相信这个新开发的系统将满足客户的新兴需求。该公司将继续致力于以专有的先进技术为基础，增强其MOCVD系统，快速提供与市场趋势同步的产品。

*MOCVD系统：

该设备用于以有机金属和气体为原料的化合物半导体外延生长。

UR26K-CCD外观

8英寸外延片

1.背景

为应对全球气候变化的威胁，建立碳中和社会已成为一种国际趋势。在半导体领域，这种趋势已经表现为下一代功率器件的商业化需求，这些器件能够提供更好的性能和效率。GaN是其中的关键材料。同样，在开发后5G技术、高频设备和下一代微型LED等应用GaN设备方面，全球竞争也明显加剧。

2.功能与结构

尽管Taiyo Nippon Sanso Corporation已经有商业生产GaN MOCVD系统UR26K，但新型改进的UR26K-CCD型号升级成自动传输机制和干法清洗反应器部件的集成系统，可以极大提高生产率。新系统增加的两个关键机制是“盒到盒式晶圆处理系统”和“综合干法清洗系统”。

这些功能允许在单元内全自动转移晶圆。此外，反应器内使用过的零件在系统内由搬运机器人转移到单独安装的干洗室中，清洗后再返回到反应器中，因此整个外延生长过程都是用干净的零件进行的。这种自动化循环无需中断生长室的清洗过程，与传统系统相比，生产效率提高了约2倍。

在硅晶圆上生长GaN对实现可重复性结果构成重大挑战，这一难题是由于外来材料和晶圆翘曲而导致的晶圆污染。集成清洗装置和保持反应器环境一致性可提高再现性和更高的产出率——简而言之，降低总体拥有成本。反应器配置与传统的UR26K相同，采用其专有的三个层流水平喷嘴，齿轮驱动晶圆旋转机制和一个6区电阻加热器，用来均匀生长薄膜。

与传统系统相比，总运行时间减少50%

＜规格＞

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