随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等新需求的快速发展，在全球信息化发展及可持续电气化转型中发挥着至关重要的作用。功率芯片将大幅提升特高压柔性电网、高速列车、新能源汽车、工业电机、智能制造等新兴产业的能源利用效率和智能化水平，满足绿色发展、智能制造等国家重大战略需求，对新兴产业的带动面广、拉动性强。SiC、GaN功率器件展现出优异的耐高温、耐高压、高开关频率、低能量损耗及高功率密度等性能优势，非常契合现代功率电子器件应用所需的要求，利于实现电力电子系统小型化、轻量化、低成本化，在新能源汽车、消费类电子、工业电机、光伏及储能、数据中心、智能电网等多个领域具有广阔的应用前景。化合物半导体光电子产业正从萌芽走向成长期，催生我国新一代半导体显示、光传感、光互联、光计算等领域的新蓝海应用，也必将为产业发展和升级换代创造广阔空间。

2023年7月26-28日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”将于西安召开。论坛由半导体产业网、第三代半导体产业微媒体与西安电子科技大学、西安交通大学联合组织筹办。论坛将围绕光电子器件与功率半导体器件设计、测试评价及应用等主题，邀请产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新技术进展，分享前沿研究成果，携手促进国内功率与光电半导体器件技术与应用发展。

期间，西安电子科技大学副校长、教授张进成将出席论坛并带来《宽禁带半导体射频和功率器件技术新进展》的主题报告，分享最新发展趋势。

张进成，西安电子科技大学副校长、教授、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任，曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席，微电子学院副院长，科学研究院院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件，发表SCI论文300余篇，出版专着3部，授权发明专利80余项，成果6次被国际着名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项（排名第一和第二），省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授，从事宽禁带半导体电子材料与器件研究，是我国乃至国际上最早开展宽禁带（第三代）半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。