功率半导体的技术创新发展致力于提高能量的转换效率，而Si器件的性能已接近材料瓶颈，第三代（宽禁带）半导体材料的出现，恰好弥补了Si材料性能的不足。其临界击穿场强高，禁带宽度高，电子饱和漂移率高，热导率和耐温高等材料特性，使SiC器件在高频率、高效率，高功率密度等维度上拥有无可比拟的优势。

维安作为功率控制领域全方案供应商，继SiC肖特基二极管后，又开发完成了SiC MOSFET系列产品，产品电压涵盖1200V~1700V，电阻涵盖32mΩ~50Ω，并根据产品应用的需求，推出TO-247-3L，TO-247-4L，TO-263-7L等封装。产品适用于工业及新能源行业的充电桩，光伏逆变器，储能逆变器，高性能辅助电源等应用场景。

针对SiC模块的市场需求，WAYON同时也拓展了定制业务，可根据客户需求做全碳化硅，IGBTSiC混合模块，SiC二极管的模块定制开发。

模块产品因其电路简单，回路寄生参数低；热阻低，散热好，功率密度高等特点，更适用于高可靠性、高功率密度要求的应用场景，并带来更高的产品价值。

全SiC定制模块产品：