天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司“双向功率器件的制造方法”专利获授权，授权公告日为6月20日，授权公告号为CN112309976B。

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专利摘要显示，本申请公开了一种双向功率器件的制造方法，包括：在半导体层中形成第一掺杂区；在第一沟槽区形成多个沟槽，第一沟槽区的多个沟槽位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；形成覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁的栅介质层；在第一沟槽区的多个沟槽的下部形成与栅介质层接触的控制栅；形成屏蔽介质层，屏蔽介质层覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁与控制栅的表面；以及在第一沟槽区的多个沟槽的上部形成与屏蔽介质层接触的屏蔽栅，其中，屏蔽介质层将控制栅和屏蔽栅分隔。

据悉，该制造方法利用沟槽将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区，构成双向功率器件的源区和漏区，降低了器件的面积。

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