各位行家，端午安康。今天，“行家说”为你带来2条8吋SiC的内容服务：

●科友半导体：突破关键8吋SiC单晶量产技术，为大规模量产奠定基础。

● 天成半导体：成功研发8吋SiC单晶。

2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通，并进入中试线生产。

• 尺寸和厚度方面，科友的8英寸SiC晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm以上。
• 缺陷控制方面，科友半导体8英寸晶体的微管密度＜0.1个/cm2，位错缺陷密度＜5000个/cm2。
• 生长速度方面，科友半导体8英寸SiC晶体开发出了快速生长工艺技术，长晶速率已达到170μm/h以上，长晶周期约为4-5天，单台长晶炉设备每月运转约6-7炉次。长晶工艺时长短结合设备运转次数多，进一步降低了制造成本，为大规模8英寸衬底量产奠定了基础。
• 长晶良率是8英寸碳化硅晶体低成本产业化的关键，科友半导体开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术，大幅提升了长晶的稳定性、重现性。

目前，科友半导体8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上，有望成为我国大尺寸低成本碳化硅规模化量产制造技术的领跑者。

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今天（6月22日），“行家说三代半”在调研中了解到，国内还有1家企业——山西天成半导体——也实现了8吋SiC单晶技术研发突破。

天成半导体透露，他们这次开发出的8吋SiC单晶直径达到202mm，各项参数指标良好。

天成半导体成立于2021年8月成立，2022年4月，天成半导体仅用半年时间就顺利完成了中试投产，已经实现了6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产。

白皮书参编申请

行家说2023版碳化硅白皮书和氮化镓白皮书已正式启动调研，将于今年12月正式发布。

企业参编请咨询：

陈女士 Tristar

微信号：13570314186

《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 SiC产业关键技术进展

2.1 SiC特性及技术优势

2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 SiC外延技术分析

2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析

2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析

2.6 SiC模块技术进展及趋势分析

2.7 SiC关键设备和材料技术分析

2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析

第三章 全球SiC半导体产业竞争格局

3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段

3.2 各国/区域SiC代表厂商

3.3 SiC衬底竞争格局

3.4 SiC外延竞争格局

3.5 SiC器件/模块竞争格局

3.6 SiC关键设备/材料竞争格局

《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 GaN产业关键技术进展

2.1 GaN特性及技术优势

2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 GaN外延技术分析

2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析

2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析

2.6 GaN关键设备和材料技术分析

第四章 全球GaN半导体产业竞争格局

4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段

4.2 各国/区域GaN代表厂商

4.3 GaN衬底竞争格局

4.4 GaN外延竞争格局

4.5 GaN器件/模块竞争格局

4.6 GaN关键设备/材料竞争格局

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