存储的寒气从去年吹到现在，虽然今年开年以来不时听到触底反弹的声音，但市场仍未见明显解冻现象。
TrendForce数据显示，本季度，占据存储市场一半以上的DRAM，已经连续三个季度下跌。DRAM三巨头三星、SK海力士和美光在出货量方面仅美光有上升，其余均衰退；平均销售单价三者均下跌，并且预计三巨头在Q2还将继续亏损。
以DRAM 4月的指标性产品DDR4 8Gb为例，批发价为每个1.48美元左右，环比下跌1%；4Gb产品价格为每个1.1美元左右，环比下跌8%。
在DRAM的整体颓势之中，HBM（高带宽内存，High Bandwidth Memory）却在逆势增长。身为DRAM的一种，与大部队背道而驰，价格一路水涨船高。据媒体报道，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，HBM3规格DRAM价格上涨5倍。HBM3原本价格大约30美元每GB，现在的价格怕是更加惊人。
一边是总体DRAM跌到成本价，一边是“尖子生”HBM价格涨5倍。
6 月 18 日据 businesskorea 以及 etnews 报道，SK 海力士将扩展其 HBM3 后道工艺生产线，并已收到英伟达要求其送测 HBM3E 样品的请求
据称，考虑到对人工智能 (AI) 半导体的需求增加，S 海力士正在考虑将 HBM 的产能翻倍的计划。
业内消息称 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 对 HBM3E 样品的请求，并正在准备发货。HBM3E 是当前可用的最高规格 DRAM HBM3 的下一代，被誉为是第五代半导体产品。
SK 海力士目前正致力于开发该产品，目标是在明年上半年实现量产。SK 海力士副总裁朴明秀在今年 4 月的第一季度收益公告电话会议上透露：“我们正在为今年下半年准备 8Gbps HBM3E 产品样品，并计划在明年上半年实现量产。”
IT之家查询发现，目前 SK 海力士在 HBM 市场已经领先于三星电子。据市场研究公司 TrendForce 称，截至去年，SK 海力士在全球 HBM 市场上占据 50% 的市场份额，而三星电子则保持在 40% 左右。
去年 6 月，SK 海力士成为世界上第一个大规模生产高性能 HBM3 的公司，从而一举奠定其市场领导地位。在通过 HBM3 样品的严格性能评估后，成功满足了高端客户的需求，目前已经在为 NVIDIA H100 供应。
如果他们成功交付第五代 HBM 产品，将进一步巩固他们在超快速 AI 半导体市场上的领先地位。
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