【半导光电】GaN 外延生长方法及生长模式
来源:今日光电 发布时间:2023-06-10 分享至微信
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01
GaN异质衬底外延生长方法
1.1金属有机物气相沉积法(MOCVD)
1.2分子束外延法(MBE)
1.3氢化物气相外延法(HVPE)
02
异质外延生长的基本模式
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