英飞凌出席第35届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD 2023）-icspec

英飞凌出席第35届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD 2023）

来源:英飞凌官微发布时间:2023-06-01

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5月28 -6月1日，英飞凌出席了在香港举办的第 35 届功率半导体器件和集成电路国际会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD）。

ISPSD 是功率半导体器件和集成电路领域在国际上权威和有影响力的顶级学术会议之一，被誉为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外产业界和学术界发表重要最新成果的重要平台。ISPSD 2023 在香港科技大学举办，这也是ISPSD会议举办35年以来第三次在中国召开。

ISPSD 2023会议议题主要集中在以下六大领域：

高压功率器件（High Voltage Power Devices）
低压功率器件（Low Voltage Devices and Power IC Device Technology）
功率集成电路（Power IC Design）
氮化镓与化合物材料：器件和技术（GaN and Compound Materials: Device and technology）
碳化硅与其他材料（SiC and Other Materials）
模块与封装工艺（Module and Package Technologies）

在六大议题中，以SiC和GaN为代表的宽禁带（WBG）半导体器件以其独特优势在近年来引发了国内外产业界和学术界的关注，被认为是下一代电力电子器件和功率集成电路的重要发展方向。

英飞凌的宽禁带（WBG）产品组合提供了具有出色效率与高功率密度的全面的选项。不仅如此，凭借其高频、高效、高功率密度、耐高温高压等特点，宽禁带半导体技术高度契合节能减排需求并将在能源转型中为减缓气候变化做出重要贡献。

650 V - 2000 V 增强型CoolSiC™ MOSFET

增强型CoolSiC™ MOSFET提供从单管到模块多种封装形式，电压从650V到2000V，非常适合硬开关和谐振开关拓扑结构，通过最先进的沟槽设计保证了卓越的栅极氧化层可靠性，具有一流的开关和传导损耗、最高的跨导水平（增益）、Vth=4V的阈值电压和短路能力。

GaN HEMT – 氮化镓晶体管

英飞凌高性能 CoolGaN™ 增强模式 HEMT 将采用顶部及底部冷却型 SMD 封装。可在相应应用中实现极高的效率和功率密度，以及极佳的热性能。对消费和工业应用，如服务器、数据通信、电信通信、适配器/充电器、无线充电, 及音频产品，具备市场上无出其右的耐用性能。

CoolGaN™集成电源级(IPS)

CoolGaN™ IPS 能够实现超紧凑型设计，能够通过单一电源为多个设备供电，支持设计超薄电源，实现比以往更高的能源效率水平，特别适用于充电器/适配器和电源应用。

不仅如此，英飞凌前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 等高性能产品，是提高能源利用效率的“心脏”，在新能源发电、工业电源、消费电子、电机驱动等领域发挥着重要作用。

Source-Down PQFN package

OptiMOS™ 源极底置功率 MOSFET 系列具有行业领先的 RDS(on) 和越的热性能。源极底置具有很多优势，例如更低的RDS(on)和更高的热性能，减少主动散热，并提供更有效的热管理布局。PQFN 3.3x3.3 源极底置封装的OptiMOS™低压功率MOSFET系列的目标应用包括驱动器，电信，SMPS和服务器。

1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

1200V H7 IGBT单管产品是市场上最快的IGBT，并拥有最高的功率密度，其额定电流器件高达140A，采用精细化沟槽栅技术，进一步优化折衷曲线，具有最低的导通损耗和最低的开关损耗。可用于太阳能光伏、不间断电源、电池充电器和工业驱动等领域。

值得一提的是，在5月28日的短课程（Short Course）环节期间，来自英飞凌电源与传感系统事业部的Kennith K. LEONG博士带来了主题为“The System Application Benefits of GaN Versus Si and SiC and The Potential of GaN Bi-directional Switch”的分享。

在接下来的5月29日及30日，来自英飞凌电源与传感系统事业部和零碳工业事业部的技术专家们分别带来了主题为“Strain Engineering in Modern Si Trench Power MOSFETs – A Performance Booster for Future Generations”和“Si IGBT and SiC MOSFET – Potentials and Limitations of Plasma Shaping Versus Unipolar Switching in Medium Power Applications”的技术分享。