近日美国氮化镓（GaN）大厂宜普电源（Efficient Power Conversion Corporation；EPC）向美国加州法院及国际贸易委员会（ITC）提起诉讼，主张4项专利受到国内GaN龙头英诺赛科侵权、并寻求损害赔偿。
 
据了解，该起诉书中提到英诺赛科召募宜普员工，任职科技长、销售暨行销业务负责人，随后推出了一套与宜普明显相同的产品、称彼此在重点效能指标上的表现相同；近期又宣称许多产品均与宜普「完全兼容」，并主动争抢宜普客户。

宜普希望美国禁止进口英诺赛科构成侵权的GaN产品。
 
供应链业者表示，彼此间竞争从暗斗、到这起诉状呈现透明化，若宜普诉讼成功，未来可能阻碍英诺赛科跨及国际市场的顺畅度。目前供应链仍持续观望后续变化。
 
第三类半导体包括GaN、碳化矽（SiC），双方除了积极争抢主流矽基（Si）相关元件版图，若针对未来应用范围包括计算、汽车、太阳能、机器人、无人机、医疗电子和雷射探测与测距到日常产品，如手机、音箱设备、智能电器、电动工具、快速充电器和电动自行车等，更是GaN、SiC、Si互不相让。
 
而GaN在3C产品电源快充头领域，进攻传统主流矽基版图，近几年已到势如破竹的局势。其中，国内GaN供应链不但运作积极、成长也快速，而宜普这项诉状则打破了中、美GaN产业表面和平的现况。
 
近期德国汽车一阶供应商（Tier 1）龙头博世（Bosch）与车用IDM龙头英飞凌与国内SiC基板厂山东天岳、天科合达的签约，则被认为国内厂跨足国际市场成功的一大步。