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重磅! 国产SiC衬底激光剥离实现新突破
来源:第三代半导体风向 发布时间:2023-05-19 分享至微信

最近，泰科天润董事长陈彤表示，国内SiC单项目突破100万片的关键在于成本，即“碳化硅器件成本仅为硅器件的2倍”。

碳化硅器件降本需要全产业链的共同努力，其中碳化硅衬底成本占比高达50%左右，因此亟需新技术将成本“打下来”。碳化硅衬底降本主要存在两大瓶颈，除了长晶外，还有晶锭切割。目前，碳化硅衬底主流的切割技术包括砂浆线切割、金刚石线切割等，然而传统切割技术的损耗率太高，而且工时太长。
以砂浆线切割为例，多达40%的碳化硅晶锭以粉尘的形式浪费掉，而且切割线的高速行走过程还会造成20~50μm的粗糙起伏与表面/亚表面结构损伤，据分析，碳化硅多线切割技术的总材料损耗量高达30%~50%。同时，切制一块6英寸SiC晶锭通常需要150个小时左右，不利于SiC衬底的快速交付。另外，切割后的衬底Ra值较大，还需要进行粗磨、精磨和CMP三道处理工艺，合计耗时超过5天。

如果改用激光剥离技术，则有望极大降低碳化硅衬底成本。激光剥离技术是通过激光处理，在碳化硅晶锭内部形成改质层，从而在碳化硅晶锭上剥离出晶圆。这种技术具有材料损耗低、加工效率高、出片数量多等优势，总材料损耗率可降至30%-50%左右（视晶锭类型而定）。
如果激光剥离技术成功应用于碳化硅衬底的量产，必将为碳化硅产业带来轻资产、高效益的新模式，有望进一步降低碳化硅器件成本，推动碳化硅器件在更广领域的应用。

碳化硅行业国外厂商已经开展长达5年以上的激光剥离技术探索。截至目前，激光剥离技术未导入量产线，仍有一些技术挑战需要解决。据“行家说三代半”了解，西湖仪器在碳化硅衬底激光剥离技术上实现了突破，并且成功开发了整套碳化硅衬底激光剥离设备，可直接投入生产，为碳化硅衬底的生产提供了新型高效的解决方案。

要想详细了解更多关于西湖仪器的碳化硅衬底激光剥离技术等，欢迎报名参加5月25日在上海举行的“汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会”，届时，西湖大学国 强讲席教授、副校长仇旻，西湖仪器CEO刘东立将出席本次会议，其中仇旻将带来演讲《先进光电技术，助力产业革新》，西湖仪器CEO刘东立将在会上发布碳化硅衬底激光剥离设备新品。

演讲嘉宾1

仇旻

西湖大学国 强讲席教授、副校长

演讲嘉宾2

刘东立

西湖仪器CEO


大会介绍
本届大会还将重点打造SiC产业链“新技术、新产品”专场展览，将广邀业内知名的企业，全面展示产业链的最新技术，以期向观众呈现一场集行业交流、渠道联动、资源聚合于一体的行业顶尖盛会。

本次大会受到了汽车、光储充和碳化硅产业链上下游企业的高度关注，报名非常踊跃，目前报名的知名企业包括：

除西湖仪器外，汇川联合动力、英飞凌、Wolfspeed、中电科55所、泰科天润、明锐理想、爱发科、优晶光电、KLA等企业也将带来重磅演讲。

与此同时，西湖仪器、明锐理想、山西天成、昕感科技、优晶光电、特思迪、快克、晟芯半导体、昇先创、KLA、青昀、弘元半导体、中科同志、杭可仪器等企业也将在现场对外展示他们的碳化硅相关产品及技术等。

了解本次活动更多的碳化硅技术和进展，请抓紧时间扫码报名参会👇👇👇

插播：了解全球碳化硅产业趋势、全国碳化硅项目等，可扫描下方二维码👇👇👇

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