鉴于终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强，碳化硅凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。
与前两代半导体材料相比，以 SiC 与 GaN 为代表的第三代半导体材料具有更宽的禁 带(>2.3eV)、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力。 同时，SiC 材料更有效克服了资源稀缺、毒性、环境污染等问题，在高压、高频、高温、 高功率等领域具有更强的适用性。
在常见平面结构下，对同样1200伏耐压等级的硅基MOS和碳化硅MOS器件做对比可发现，外延层厚度会有明显差距。原因在于，采用碳化硅材料可以令器件每微米耐电压程度比硅基高出10倍，因此碳化硅相关器件外延层只需要硅基器件的1/10，令成本降低，技术参数下降。
以电动汽车的22kW OBC应用为例，碳化硅器件有助于减少30%的功率损耗、缩短充电时间，并将功率密度提升50%，带动系统效率的提升及系统成本下降。
碳化硅器件能够带来的不仅是性能改善，更是系统拓扑的革新，令器件数量大大降低，如开关、驱动IC、DCDC功率器件等都能减少一半的数量。这些减少后，就意味着功率器件的设计可以更简洁可靠、成本可控，同时功率密度提升。从而令用户感受到性价比提升。
在能源效率新时代，碳化硅开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开更大发展空间。
KIA MOS管厂家生产的碳化硅MOSFET-KSZ040N120A、KSZ080N120A拥有卓越的性能和高可靠性，能够在各种应用、环境中高效稳定运行；两款产品主要应用于轨道交通、变频器、充电桩等领域。
充电桩电源模块中使用KSZ040N120A、KSZ080N120A，可以实现充电桩电源模块的高效化和高功率化，进而实现充电速度的提升和充电成本的降低。
在轨道交通方面使用KSZ040N120A、KSZ080N120A可以大幅提高电力电子装置的功率密度和工作效率，有助于明显减轻轨道交通的载重系统。实现更高的运载效率和降低运营成本。
碳化硅MOS管-KSZ040N120A 60A 1200V产品介绍
特性
RDS（ON）=40mΩ（典型值）@VGS=20V，TJ=25ºC
高阻断电压，低导通电阻
小电容高速开关
雪崩耐量
易于平行和简单的驱动
无卤素，符合RoHS标准
应用
太阳能转化器
高压DC-DC转换器
功率因数校正模块
电动汽车充电
DC-AC逆变器
封装图
参数详情
碳化硅MOS管-KSZ080N120A 28A 1200V产品介绍
特征
RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=20V，TJ=25ºC
高阻断电压和低导通电阻
低电容高速开关
雪崩耐量
应用
太阳能逆变器
开关电源
高压DC-DC变换器
电池充电器
封装图
参数详情
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
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