Transphorm GaN芯片超过1250亿现场小时数
来源:化合物半导体 发布时间:2023-05-06 分享至微信

公司在整个功率范围内实现了低于0.2的FIT率

GaN公司Transphorm表示,其高可靠性GaN半导体产品的现场运行时间已超过1250亿小时。

“这一里程碑证明了我们在GaN功率解决方案的低功耗和高功率应用中的行业领先可靠性。”Transphorm总裁、首席运营官兼联合创始人Primit Parikh评论道。

他补充说:“过去的一年被证明是公司实现这一运营目标的关键一步。从业务增长的角度来看,超过1250亿的运行小时,在整个功率范围内FIT的速率非常低,低于0.2,再加上我们专利解决方案的高性能,进一步支持了我们对快速增长的5亿美元以上的长期管道的增长的信心。”

Transphorm的SuperGaN系列涵盖650伏、900伏和1200伏(开发中)的额定电压。据该公司称,该平台基于专利的GaN技术和一个IP组合,该组合由350多项直接拥有的专利和凭借应用专利所得的1000多项整体基础材料组成。

苏州会议

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